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中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗衬底上直接制备出高质量单层石墨烯
锗衬底 高质量 单层石墨烯
2013/8/23
Nature旗下期刊Scientific Reports（《科学报告》）近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法(CVD)，在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果，文章题目为Direct Growth of Graphene Film on Germanium Substrate（《锗衬底上直接制备石墨烯...