搜索结果: 1-7 共查到“腐蚀与防腐化学 Mg”相关记录7条 . 查询时间(0.046 秒)
采用Gleeble−1500热压缩模拟试验机进行压缩实验，研究ZK60(0.9Y+0.3Nd)镁合金在变形温度623~773 K、应变速率0.001~1 s−1的范围内的变形行为，计算应力指数和变形激活能，并采用Zener-Hollomon参数法构建合金高温塑性变形的本构关系。结果表明：在实验变形条件下，合金的真应力—真应变曲线为动态再结晶型；在实验温度范围内，应力指数随着...
新型含钪Al-Mg-Cu合金的抗应力腐蚀开裂特性
含钪铝合金 应力腐蚀开裂 强度因子
2010/4/2
对3.5%NaCl溶液中新型含钪Al-Mg-Cu合金的应力腐蚀开裂宏观性能进行测试，并对裂纹尖端的成分与微观形貌进行分析。根据线弹性断裂力学理论，预制疲劳裂纹试样裂纹尖端处于平面应变状态，得到裂纹匀速扩展时的扩展速率、裂纹尖端应力强度因子以及应力腐蚀开裂强度因子的门槛值。扫描电镜及EDS分析表明：应力腐蚀开裂主要是沿晶扩展，预制裂纹与腐蚀介质中的溶解氧生成Al2O3，产生楔入力促使裂纹扩展；裂纹尖...
固溶处理对Al-Zn-In-Mg-Ti-Mn合金电化学性能的影响
牺牲阳极 电化学性能 电流效率
2009/9/10
研究了510℃×10 h固溶处理对Mn含量不同的Al-Zn-In-Mg-Ti-Mn合金在人造海水中的腐蚀电化学性能的影响.结果表明：固溶处理使该合金的电流效率下降，但对其自腐蚀电位影响不大；当合金中Mn含量较高时，固溶处理可改善其腐蚀过程中的表面腐蚀状况，降低工作电位，而电流效率下降不大;等效电路RS(C1(C2Rt)(QR)(L1Rad1)(L2Rad2)(L3Rad3))能较好地拟合该合金在3...
通过测定Al-Mg-Si合金晶界各组成相的极化曲线及不同Mg/Si比 Al-Mg-Si合金晶界组成相(Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si)间的动态电化学偶合行为，研究了不同Mg/Si比Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明，晶界Si电位比其边缘Al基体正，在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解。晶界Mg2Si电位比其边缘Al基体负，在腐蚀初期将作为阳极而发生阳极溶解；由于...
用静态失重法、金相显微镜、扫描电子显微镜等方法研究了不同含量的Sn对Mg-6Al-1.2Y-0.9Nd镁合金的微观组织以及在3.5%NaCl腐蚀介质中的腐蚀速率和表面腐蚀形貌的影响。结果表明，添加1%Sn 时，合金的晶粒得到了明显的细化，组织和成分更加均匀；当Sn含量大于1%时，合金的析出相增多，并出现粗化、偏聚的趋势。在NaCl溶液中，合金的腐蚀速率均随着Sn含量的增加呈现先降低后增加的趋势，其...
Mg-Gd-Y-Zr合金表面含硫硅烷薄膜的结构与耐蚀性能
Mg-Gd-Y-Zr合金 硅烷 薄膜 腐蚀
2010/3/15
采用分子自组装的方法在Mg-Gd-Y-Zr合金表面制备双-(γ-三乙氧基硅丙基)四硫化物硅烷薄膜。通过傅立叶变换红外光谱研究薄膜结构特性，用扫描电镜观察薄膜表面形貌，并用电化学极化曲线和交流阻抗测试研究薄膜的耐蚀性能。结果表明，镁合金表面薄膜通过SiOSi链接形成网状结构，并可能通过形成SiOMg界面相结构与镁合金表面连接；晶界上薄膜厚度小于其他各处；薄膜将腐蚀电流密度降低2个数量级以上，明显提高...