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中国科学技术大学在半导体材料碲中发现巨大且可调的室温非线性霍尔效应(图)
半导体材料 碲 室温 非线性霍尔效应
2024/9/3
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 (或开关比)是衡量隧道结性能的核心指标。2005年,理论模型提出,隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应(图)
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构,它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出,隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院半导体所观测到各向异性平面能斯特效应(图)
半导体所 永磁电机 自旋电子学 薄膜器件
2023/8/1
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料,在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域,利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
中国科学院微电子研究所专利:一种碳基场效应晶体管及其制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳基 场效应晶体管
2023/7/6