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TI杯2021年全国大学生电子设计竞赛广东赛区评审于11月13日-14日在华南理工大学举行。本次竞赛由全国大学生电子设计竞赛组委会主办，华南理工大学承办。学校教务处处长项聪、竞赛组委会秘书长徐向民、电子与信息学院院长薛泉、常务副书记张健、靳贵平副院长、专家组组长殷瑞祥出席开幕式等相关活动。
东北大学计算机科学与工程学院本科生在2021年TI杯全国大学生电子设计竞赛辽宁赛区暨辽宁省TI杯大学生电子设计竞赛中获得最高奖——TI杯（图）
东北大学计算机科学与工程学院 TI杯 全国大学生电子设计竞赛 辽宁赛区 电子设计
2022/3/18
2021年TI杯全国大学生电子设计竞赛辽宁赛区暨辽宁省TI杯大学生电子设计竞赛已于2021年11月15日落下帷幕，东北大学共有26支参赛队参加了作品测评并取得了优异成绩，获得一等奖4项、二等奖9项、三等奖5项，其中东北大学计算机科学与工程学院获得一等奖3项、二等奖4项、三等奖2项，尤为可贺的是，由东北大学计算机科学与工程学院通信与电子工程系本科生王智伟、徐彰、卢晓曼等组成的NEU03参赛队夺得本次...
近日，2020年江苏省大学生电子设计竞赛在南京落下帷幕，江南大学物联网工程学院参赛学生再创佳绩，获得一等奖3项，二等奖3项。
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
负偏压对磁控溅射Ti膜沉积速率和表面形貌的影响
Ti薄膜 磁控溅射 负偏压 沉积速率
2009/8/24
采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜，研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增大，Ti膜沉积速率分三个阶段变化:0~ -40 V之间沉积速率基本不变; -40~ -80 V之间沉积速率迅速降低;超过-80 V后沉积速率随偏压的下降速度又放缓。Ti膜密度随偏压增加而增大，负偏压为-119.1 V时开始饱和并趋于块体Ti材密度。加负偏压能够抑制Ti膜的柱...
期刊信息
篇名
High resolution electron microscopy studies of martensite around Xs precipitates in a Cu-Al-Ni-Mn-Ti shape memory alloy
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
H.Y.Peng,Y.D.Yu and D.X.Li
第一作者单位
Institute of Metal R...
Relationship Among Preparation, Structure and Superconductivity in Ti-Ca-Ba-Cu-O Compounds
Ti-Ca-Ba-Cu-O Compounds Preparation Structure Superconductivity
2010/12/16
Analysis of a comprehensive set of experimental results has proven the substantial effect of the precise preparation conditions upon the structure and superconducting parameters of Ti-Ca-Ba-Cu-O sampl...
The Textural Effect of Cu Doping and the Electronic Effect of Ti, Zr and Ge Dopings Upon the Physical Properties of In2O3 and Sn-Doped In2O3 Ceramics
Cu In2O3 Sn-Doped In2O3 Ceramics
2010/12/16
The electronic properties of Cu-, Ti-, Zr-, and Ge-doped In2O3 (IO) and ITO (Sn-doped In2O3) ceramics are investigated. We distinguish the different effect of Cu doping (so called the “textural effect...