搜索结果: 1-12 共查到“电子科学与技术 IBM”相关记录12条 . 查询时间(0.062 秒)
日本经济产业省将与IBM合作开发尖端半导体
日本经济产业省 IBM 半导体
2021/6/11
日本经济产业省将与美国IBM合作,强化尖端半导体的开发。IBM将加入日本经济产业省的共同开发框架。在半导体设计和基础研方面领先的IBM与在半导体生产设备方面占有优势的日本企业合作,有利于尽快确立制造技术。还计划在半导体供应链方面强化日美合作。
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IBM碳纳米管商用技术取得重大突破(图)
IBM碳纳米管商用技术 半导体
2015/10/8
IBM的研究人员近期宣布,已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战,这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。
过去几十年,半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管,从而不断加强芯片的性能。不过,这一发展很快就将遭遇物理极限。目前,IBM的研究人员表示,凭借“重要的工程突破”,碳纳米管晶体管替代硅晶体管未来将成为现实。
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应半导体所集成技术中心主任杨富华研究员的邀请, 2011年4月25日上午,美国IBM Thomas J. Watson研究中心的Qinghuang Lin教授来半导体所进行学术交流,并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第141期报告。
IBM、EPFL合作研发低能耗半导体新材料
半导体 材料
2011/11/10
10月27日,洛桑联邦理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne)和IBM宣布了一项欧盟赞助的研究项目,将研发新的半导体材料,来取代今日普遍使用的耗电严重的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。参与单位还包括欧洲范围内多家知名学术界和企业界研究机构,如英飞凌科技、Global Foundries、CEA-LETI、德国于利希研究中心(FZJ)...
IBM 发现世界最快的石墨烯晶体管
石墨烯 晶体管
2011/11/9
IBM公司研究人员发现具有最高截止频率的射频石墨烯晶体管,频率为100 GHz,高于迄今所有石墨烯设备。项目由美国国防部高等研究计划局(DARPA )资助,旨在开发新一代通信设备。
IBM展示运行速度最快的石墨烯晶体管
IBM 石墨烯 晶体管
2010/2/9
在刚刚出版的《科学》杂志上,IBM的研究人员展示了一种由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管(FET),其截止频率可达100吉赫兹(GHz),这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。这一成就是美国国防部高级研究计划局“碳电子射频应用项目”取得的重大进展,为研发下一代通信设备铺平了道路。
ARM和IBM将合作开发32nm和28nm工艺SoC
合作开发 工艺
2011/11/4
据日经BP社报道,英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会,与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC(系统芯片)设计平台的合作开发详细内容。共同开发的具体内容是:两公司将面向IBM、新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor Manufacturing)和韩国三星电子采用的Bulk CMOS通用制造平台“Common Platform”,共同开发对于...
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IBM大型聚光透镜和冷却系统技术提高太阳能发电效率
聚光透镜 系统技术 太阳能 效率
2011/11/3
美国IBM日前发布了运用大型聚光透镜和LSI用冷却系统提高聚光型太阳能电池(Concentrator Photovoltaic,CPV)发电效率的技术。使用该技术,可大幅削减太阳能发电设施的建设及运营成本。
IBM领导高k/金属栅极技术开发 着眼下一代32纳米器件工艺
技术开发 纳米 器件 工艺
2011/11/1
IBM及其合作开发伙伴日前宣布,它们用于下一代32纳米器件的高k/金属栅极技术将在2009年下半年向IBM合作伙伴及其客户提供。IBM的合作伙伴包括AMD、特许半导体、英飞凌、三星和IBM。利用高k/金属栅极工艺技术,IBM及其伙伴能够把芯片尺寸最多经45纳米芯片缩小50%。45纳米芯片尚未量产,预计在2008年第一季度末开始增加产量。
索尼结盟IBM东芝 拓展高性能半导体制造联盟
拓展 制造 联盟
2011/11/1
索尼公司和索尼电脑娱乐公司(索尼集团)于22日宣布了两份独立签署的最新合作协议,目的是增强索尼集团的PlayStation业务规模。根据协议内容,IBM和索尼将双方之间现有的生产合作关系拓展到45纳米绝缘硅(SOI)业务中,以批量生产Cell宽带引擎(Cell/B.E)处理器。两家公司将通过合作优化45纳米绝缘硅的生产能力,为索尼集团的PLAYSTATIONreg;3生产更低能耗、更低成本的处理器...
IBM光芯片获突破 或取代传统半导体电路
IBM 光芯片 半导体芯片
2006/12/26
2006年12月26日消息,IBM宣称在光芯片领域获得重大突破,已成功减缓光信号在芯片中的传输速度,将来可用于传送资料,取代传统的半导体芯片电路。