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南京大学李涛、祝世宁团队：集成光芯片上的非厄米趋肤效应及其相变（图）
集成光芯片 非厄米 趋肤效应及
2024/8/23
近日，南京大学李涛教授、祝世宁院士团队与中国科学技术大学/苏州大学蒋建华教授团队合作，在非厄米拓扑光场调控方面取得重要进展。他们将损耗调制与人工规范场的Floquet调控相结合，在一维硅波导阵列中实现了非厄米趋肤效应，并展示了通过Floquet周期调制带来的多种拓扑相。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯导热膜尺寸效应研究取得进展（图）
石墨烯 导热膜 尺寸
2024/10/15
石墨烯导热膜是电子器件和系统重要的热管理材料。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米材料与器件实验室丁古巧团队在石墨烯导热膜尺寸效应研究方面取得进展。该工作通过建立亚微米-微米氧化石墨烯原料横向尺寸与导热膜热导率之间的联系，深化了对于3000 ℃高温下氧化石墨烯组装体还原重组过程的认知，为组装石墨烯等二维材料构建高性能宏观体提供了新思路。
中国科大在腔光力系统中实现多种非线性效应调控的频率梳（图）
光力系统 非线性 光子 声子
2024/12/6
中国科学技术大学党委宣传部郭光灿院士团队在腔光力系统研究方面取得新进展。该团队的董春华教授研究组通过光子与声子相互作用，在腔光力系统中实现了多种非线性效应调控的频率梳。该研究成果于2024年4月19日发表在国际学术期刊《Physics Review Letters》。
国家自然科学基金委员会中国学者在新型场效应调控光电集成二极管研究方面取得进展（图）
光电集成 电路 器件结构
2024/8/26
在国家自然科学基金项目（批准号：62322410、52272168、52161145404）等资助下，中国科学技术大学孙海定教授iGaN Lab课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管架构，构筑载流子调制新方法，实现外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果以“三电极发光探测二极管（A three-terminal light emitting and ...
中国科大提出新型场效应调控光电二极管用于光通信与光计算（图）
光电 通信 计算 人工智能
2024/12/6
随着人工智能时代的到来和数字化转型的深入发展，对用于高速数据传输和高性能数据计算的半导体芯片的需求不断增长。其中，以光子作为信息载体的光电集成芯片及其相关技术的潜力正不断被挖掘和开发，凸显出它们在突破现有电子系统技术瓶颈与极限的可能性。光电二极管作为光电集成芯片中必需的基本元件，已被广泛应用于发光二极管（LED）、激光器、探测器等。然而，无论是作为发光单元还是探测单元的光电二极管，均需配置相应的外...
为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性以及反向阻断特性的影响,应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理,设计了一款3...
本发明涉及一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法，该方法涉及测试装置是由计算机、直流电源、数据采集及时序控制电路、camlink数据线、导线和器件座组成，首先将测试装置放置在测试室内，安装好紫外探测器后，检查各项功能正常后，取下紫外探测器，将其放在辐照室内开始辐照试验，直至达到预定的最大辐照注量，停止辐照，结束辐照试验，利用已有参数计算方法，结合采集的图像计算出暗电流、输出信号、暗电流噪...
本发明公开了一种基于聚集诱导发光效应的比色‑荧光探针及其制备方法和用途，所述比色‑荧光探针为硝酸化异硫氰根•（三联吡啶）合铂（Ⅱ），将采用常规方法制备的硫氰酸化异硫氰根•（三联吡啶）合铂（Ⅱ）在过饱和的硝酸钠或硝酸钾溶液中进行银离子置换，得到硝酸化异硫氰根•（三联吡啶）合铂（Ⅱ）探针分子。该比色‑荧光探针具有良好的水溶性，溶液...
中国科学院理化技术研究所专利：一种基于块状激光自变频材料级联效应的激光器
中国科学院物理研究所专利：一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
本申请实施例提供一种分析多材料结构激光烧蚀效应的方法和装置，该方法包括：建立多材料结构瞬态传热的有限元分析模型；利用ALE算法对有限元分析模型进行结构网格重构，并将变形前网格集合的温度场映射到变形后网格集合上，获得变形后网格集合的温度场；确定每个变形后网格对应的变形前网格；将每个变形后网格对应的变形前网格的材料编号确定为其对应的变形后网格的材料编号；利用变形后网格集合、变形后网格集合的温度场和变形...
本发明提供一种高速来流条件下激光毁伤效应的多场耦合分析方法，包括如下步骤：预先建立包含激光的热力载荷下结构分析模型和高速来流作用下流体分析模型；根据结构瞬态热力耦合分析确定结构热力响应，获得耦合面的烧蚀退化量；通过网格重构更新结构分析模型和流体分析模型；基于耦合面温度场，在耦合界面处进行数据映射，得到固体耦合面气动力、气动热，然后更新结构分析模型的载荷条件；基于更新的结构分析模型进行下一时刻瞬态热...
光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一，光刻分辨率决定了集成电路的特征尺寸。随着集成电路图形的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应，降低了光刻成像质量。在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，此类技术即计算光刻技术（Computational Lithography），被认为是二十一...
