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李永熙(Young Hee Lee),韩国国籍,低维材料物理学家。1955年7月出生于韩国。1982年在韩国全北国立大学获学士学位,1982年和1986年在美国肯特州立大学分别获硕士和博士学位。现任韩国基础科学研究院集成纳米结构物理中心主任、韩国成均馆大学能源科学系和物理系教授。2006年被授予韩国国家学者称号,2007年当选为韩国科学技术翰林院院士,2020年当选为发展中国家科学院院士,2021...
近年来,第三代半导体材料氧化镓由于其超大的禁带宽度(~4.9 eV)和超高的击穿场强(~8 MV/cm),在深紫外光电器件和高功率器件领域一直受到大家的广泛关注。但是目前实验室制备的氧化镓电子器件性能还远低于其应用需求,主要是由于其较低的载流子迁移率和较强的激子结合能。为了进一步提升氧化镓光电器件的性能,研究者通常通过构建氧化镓/二维材料异质结界面,借助二维材料超高的载流子迁移率和优异的光学吸收来...

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