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Ge+注入Si1-xGex/Si异质结的退火行为
离子注入 Si1-xGex/Si异质结 退火行为 X射线衍射
2009/8/31
在注入能量为100 keV时,将注入剂量为5.3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1 050℃,退火时间为5~30 min。对样品的(004)和(113)面X射线衍射数据进行计算和分析,得出退火温度为1 000℃、退火时间为30 min为最佳退火条件。在此退火条件下,假设固相外延生长为赝晶生...
期刊信息
篇名
Optical characteristics of laser-crystallized Si1-xGex nanocrystals
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
S H Huang,Xiying Ma,X JWang and F Lu
第一作者单位
复旦大学
刊物名称
Nanotechnology
页面
25－28
出版日期
2003年
月
日
文章标识(ISSN)
09...
Molecular dynamics simulation of the thermaldynamic effects versus Ge content x in Si1-xGex/Si（100）epitaxy growth
Molecular dynamics simulation epitaxy critical layer thickness Si1-xGex
2007/5/15
The Molecular Dynamics Simulation of epitaxial process of Si1-xGex/Si(100) was carried out by utilizing the Stillinger-Weber potential and Gear algorithm. The thermal dynamic effects due to different ...