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新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
西安电子科技大学场效应器件物理课件第一章 MOS结构。
Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardenedfully-depleted SIMOX SOI wafers
SOI pseudo-MOS transistor total dose radiation ion implantation
2009/9/17
The total dose radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened and unhardened FD (fully-depleted) SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) SOI (Silicon-on-insulator) wafers is presen...
本实验给出了用加固的和未加固的全耗尽SIMOX SOI材料制备的pseudo-MOS晶体管的总剂量辐射实验结果。在高达1M 拉德（硅）的辐射剂量下，加固技术使晶体管的阈值电压漂移从-115.5V减小到-1.9V。计算了埋氧层俘获的净正电荷的质心位置、埋氧层的空穴陷阱浓度及其空穴俘获分数，结果表明采用该技术加固的全耗尽SIMOX SOI材料具有优秀的抗总剂量辐射能力。
MOS结构剂量探测器研究进展
MOS结构剂量探测器 MOS场效应晶体管 电离辐射 吸收剂量
2010/2/24
介绍了MOS结构剂量探测器的基本测量原理 ,回顾了国内外利用MOS结构作为剂量探测器的发展过程和研究现状 ,分析了MOS结构剂量探测器的主要性能指标以及其在核辐射剂量监测和空间环境监测等领域的应用前景.We presente the principle of MOS structure dose detector, reviewe the development and status in thi...
Properties of MOS Capacitors Produced on SiGe Formed by Ge-implanted Si
Metal-oxide-semiconductor quasi-static
2010/4/15
Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors fabricated on Ge-implanted Si have been investigated by using C-V and G-V measurements. The control sample on pure Si substrate yielded normal C-V and G-V ch...