搜索结果: 1-6 共查到“理学 4H-SiC”相关记录6条 . 查询时间(0.078 秒)
4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究
4H-SiC 快中子产额测量 注量响应
2022/3/22
为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性，利用强流氘氚聚变中子发生器（HighIntensityDeuterium-TritiumFusionNeutronGenerator，HINEG）测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱，高能段反应特征峰清晰可辨，12C（n，α0）9Be特征峰的半峰全宽（FullWidthatHalfMaximum，FWHM）为190?...
论文对采用化学气相沉积法在不同高温条件下生长的一组 3C-SiC/4H-SiC薄膜的光学和表面特性进行了深入研究。通过X射线衍射、X射线光电子能谱和拉曼散射光谱评估生长温度对薄膜形貌、光学和材料性能的影响。通过分析X射线衍射和拉曼散射光谱得到外延生长温度对薄膜结晶质量有显著影响。X射线光电子能谱表征了Si、C、O 元素的表面态以及随外延生长温度的变化。研究结果发现 3C-SiC拉曼横向光学声子模随...
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
High growth rate 4H-SiC epitaxial growth hot-wall CVD reactor
2010/11/18
Thick, high quality 4H-SiC epilayers have been grown in a vertical hot-wall chemical
vapor deposition system at a high growth rate on (0001) 80 off-axis substrates. We
discuss the use of dichlorosil...
本文阐述了一种4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池。利用Schottky结取代常用的p-n结，在活度为0.025mCi/cm2的241Am源辐照下进行测试，得到了开路电压VOC为0.25V、短路电流密度JSC为7.64nA/cm2和输出功率密度Pmax为1.12nW/cm2。在对4H-SiC肖特基结研制过程中的一些关键工艺进行研究之后，采用XRD法对欧姆接触成分进行了分析，结果表明形成了...
铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究
傅立叶变换红外光谱 离子注入 卢瑟福背散射分析
2009/11/27
主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层，波数在960—1450cm^-1范围内出现了干涉带，干涉带强度随着退火温度的升高而 变弱。1373K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示，一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。