搜索结果: 1-15 共查到“半导体器件与技术”相关记录210条 . 查询时间(3.219 秒)
碳化硅走向“8英寸”（图）
碳化硅 8英寸 功率器件
2024/10/18
作为电力电子变换装置的“心脏”，碳化硅（SiC）功率器件有望引领未来能源革命。当前，正值碳化硅从6英寸向8英寸转型升级的过渡期。2024年以来，全球各大厂商纷纷传来关于8英寸碳化硅的最新进展。业内人士指出，碳化硅从6英寸转向8英寸是必然趋势，而8英寸量产将助推碳化硅产品走向规模化应用。
上海理工大学在ppb级MEMS气体传感器领域取得重要进展（图）
上海理工大 ppb级 MEMS 气体传感器 Nano Letters 三乙胺 半导体型
2024/10/14
近日，上海理工大学材料与化学学院王丁团队在MEMS气体传感领域取得重要进展，相关研究成果以“Ultrafast and Parts-per-Billion-Level MEMS Gas Sensors by Hetero Interface Engineering of 2D/2D Cu-TCPP@ZnIn2S4 with Enriched Surface Sulfur Vacancie...
钙钛矿太阳能电池研发取得重要突破
钙钛矿 太阳能 电池
2024/10/22
记者近日从南开大学获悉，针对钙钛矿太阳能电池高温工作条件下运行稳定性差这一领域难题，南开大学化学学院教授袁明鉴带领课题组开展高水平国际合作研究，成功制备出兼具高能量转换效率与高运行稳定性的钙钛矿太阳能电池器件。这标志着新一代光伏技术取得重大突破。该研究成果于2024年9月30日在《自然》（Nature）杂志发布。
在智能化的浪潮中，珠海正和微芯科技有限公司以其全新力作RS6240芯片，开启了全场景智能化的新篇章。2024年8月28日，这款低功耗、抗干扰、远距离的4D毫米波雷达SoC芯片正式发布，标志着智能家居、智慧康养、智能安防、智能汽车等领域深度智能化落地的加速。
英飞凌研发低成本氮化镓芯片获突破
英飞凌 氮化镓 芯片 节能
2024/10/22
据德国《商报》网站2024年9月11日报道，英飞凌公司预计其节能芯片业务将获得强劲推动：这家德国上市公司已开发出一种工艺，能以更低成本生产由创新材料氮化镓制成的芯片。总部位于慕尼黑的英飞凌公司周三宣布了这一消息。
泰芯半导体通用MCU芯片设计，揭秘暴力风扇强劲“心脏”带来的科技革新
泰芯半导体 MCU芯片 暴力风扇 心脏
2024/10/23
出色性能表现的暴力风扇广泛应用于工业生产中的通风散热、环境控制领域的空气净化除尘，以及农业领域的温度调节、蚊虫驱赶等多个场景。这一切成就的背后，离不开其强劲的“心脏”。合作伙伴众汇芯基于泰芯半导体通用MCU芯片设计，为暴力风扇带来了前所未有的卓越性能与广泛的应用潜力。让我们一同深入探索，这颗“心脏”究竟是如何引领这场科技革新的。
2024年7月24日，哈尔滨工程大学计算机科学与技术学院举行了智汇论坛第二十三期活动，本次活动邀请伦敦大学国王学院胡义华教授讲授“面向人工智能支持的电力电子模块智能制造应用”专题讲座。
近日，合肥工业大学微电子学院先进能源材料与器件实验室在无机硒硫化锑半导体薄膜及光伏器件制备方面取得重要进展，提出了一种Se元素浓度梯度调控策略来制备高质量Sb2(S,Se)3半导体薄膜及高效太阳能电池器件。相关研究成果以“Se-Elemental Concentration Gradient Regulation for Efficient Sb2(S,Se)3 Solar Cells with ...
中国通信学会推荐的4项技术入围2023年“科创中国”先导技术榜
中国通信学会 电子信息 科创中国 先导技术榜
2024/9/19
在2024年7月2日召开的第二十六届中国科协年会上，中国科协正式发布2023年“科创中国”系列榜单。榜单发布先导技术榜150项、新锐企业榜50项、融通创新组织榜10项、技术经理人先锋榜20项，共计230项入榜项目。
2024年5月19日至22日，2024年IEEE电路与系统国际会议(ISCAS’24)在新加坡圣淘沙名胜世界会议中心举办。该会议是IEEE电路与系统学会（CAS）的旗舰会议，也是电路与系统理论、设计和实现领域的重要国际会议。本次会议的主题是“促进可持续发展的电路和系统”。大会共同主席是原法国巴黎高等电子学院教授Amara AMARA教授、新加坡南洋理工大学Gwee Bah教授和加拿大约克大学连勇教...
固态继电器作用及特点
固态继电器 开关器件
2024/10/17
固态继电器是用半导体器件代替传统电接点作为切换装置的具有继电器特性的无触点开关器件，单相SSR为四端有源器件，其中两个输入控制端，两个输出端，输入输出间为光隔离，输入端加上直流或脉冲信号到一定电流值后，输出端就能从断态转变成通态。
近日，合肥工业大学微电子学院先进能源材料与器件实验室研究团队开发了一种基于K+ 掺杂的溶液加工制备无机硒硫化锑半导体薄膜的沉积技术，获得了η ~8.96% 的高效光电转换效率。器件的开路电压（Voc）达到0.69 V，是目前Sb2(S,Se)3光电器件中基于单结CdS电子传输层（ETL）的最高Voc之一。相关研究成果在线发表在半导体器件领域的国际著名期刊IEEE Electron Device L...
合肥工业大学微电子学院在蓝光危害检测领域取得重要进展（图）
蓝光 危害检测 半导体器件
2024/8/1
近期，我院先进半导体器件与光电集成实验室的张祥老师和罗林保教授团队在蓝光危害检测方面取得重要进展，成功实现了多种便携式蓝光危害实时检测系统，相关成果发表在半导体器件领域的著名期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices。
陕西半导体先导技术中心推出技术“狠活”：1200V 100A三电平全碳化硅模块新品发布（图）
三电平 全碳化硅 模块
2024/10/23
继首款1200V 100A H桥全碳化硅模块发布后，陕西半导体先导技术中心又推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品。此模块产品的芯片完全国产化，产品功率密度高、性能稳定、损耗更低，可根据不同应用场景进行相应配置。此产品被誉为“龙行1200-100-3”，共SA1001K2ES3AN和SA1001K2ES3AH两个型号，主要应用于高频切换、DC/DC变流器、太阳能等领域。
