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搜索结果: 1-15 共查到知识库 薄膜物理学相关记录215条 . 查询时间(4.873 秒)
二维(2D)半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比,印刷电子因其成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到广泛关注。然而,目前印刷的二维晶体管,受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时,大多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂,随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等,难以大规模应用。因此,发展简单且环保的策略对于制造低成本、大...
聚酰亚胺(PI)被誉为处于高分子材料金字塔顶端的材料,具有优异的热稳定性、机械性能、绝缘性能以及化学稳定性,广泛应用于电气、电子器件、航空航天等领域。特别地,具有高透光度的无色PI薄膜是一类新型战略性功能材料,在柔性显示领域具有广阔的应用前景,也是各国进行专利布局的重点。
固体表面的特殊润湿性是自然界中普遍存在的现象,因其在油水分离、防污和减阻等多个领域的潜在应用而备受关注。例如,受鱼鳞、珍珠层和海藻等水下生物体的水下超疏油特性表面启发,科研人员设计和制备了许多新型的水下超疏油界面材料。然而,对于水下超疏油材料而言,开发同时具有高透明度和机械稳定性能仍然是目前所面临的严峻挑战,这也极大地限制其在新兴领域中的应用。
在迄今发现的所有超导体中,铜氧化物高温超导体保持常压下超导临界温度(Tc)的最高纪录,其非常规的超导微观机理仍然是凝聚态物理领域最具挑战性的科学问题之一。作为元素周期表中Cu的最近邻元素Ni,早在上世纪90年代初就有理论指出,无限层结构的镍氧化物因与铜氧化物高温超导体具有相似的晶体结构和电子构型,被认为是潜在的高温超导体系。然而,30多年来实验方面的进展迟缓,人们在无限层镍氧化物的多晶、单晶以及薄...
由于具有纳米尺度稳定的铁电性和良好的CMOS兼容性,铪基铁电薄膜有望直接集成到当前的CMOS芯片中构建微纳电子器件,解决传统钙钛矿铁电薄膜在电子器件应用上的难题。因此,新型的铪基铁电材料不仅受到学术界的强烈关注,而且备受产业界(英特尔、三星、格罗方德、华为等)的青睐,被认为是解决后摩尔时代电子器件诸多瓶颈问题的关键材料之一。
氧化物自支撑薄膜因其特有的丰富电子态和柔性特性受到科研工作者的广泛关注。目前为止,氧化物自支撑薄膜不仅实现了单层晶胞的极限厚度;并利用自身优异的柔性和弹性,实现了高达180°的弯折,以及弯折形态调控下连续可控的光导性;甚至在大尺度自由拉伸下,突破以往应力调控的局限性,实现室温铁电等众多新奇功能物性。而实现高质量自支撑薄膜的关键就是牺牲层的选择。而现有牺牲层材料受到晶格结构复杂或者需要强腐蚀性溶液等...
有机框架材料在能源、催化、存储等领域展示了巨大的应用前景,受到广泛关注。不同于传统的有机聚合物材料,有机框架材料不溶解、不融化,难以加工成高质量的薄膜。在中国科学院先导B专项和国家自然科学基金委的大力支持下,化学研究所有机固体院重点实验室陈建毅研究员和刘云圻院士开展了二维有机框架薄膜材料的可控组装及规模化制备策略研究,并取得了系列研究进展(Angew. Chem. Int. Ed. 2021, 6...
中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室无机膜与催化新材料研究组(504组)杨维慎研究员、彭媛副研究员团队通过设计一种简便的原位生长结合限域界面聚合制备的新策略,提出了软-固态型无缺陷金属-有机框架复合分离膜(soft-solid metal-organic framework composite membrane, MOF SSCM)新概念,实现了尺寸差异极小的H2/CO2高精度分离,...
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
超导涡旋运动引起的棘齿效应可以广泛应用于磁通泵、整流器和超导开关等装置。金兹堡-朗道理论是研究超导磁通涡旋问题强有力的工具和手段。本文采用有限差分法数值求解时间相关的金兹堡-朗道方程,利用快速傅里叶变换方法求解耦合的热传导方程,数值模拟了临界温度梯度超导薄膜磁通涡旋动力学行为,提出了一种新的调节超导整流效应的方式,并研究了临界温度梯度大小和缺陷位置对超导整流电压反转现象的影响规律。由于超导边界势垒...
晶格应力对氧化物中的氧空位形成能和氧离子迁移能都具有重要影响。通常认为,通过单晶衬底对氧化物薄膜施加张应力可以有效地降低氧空位形成能并提高氧离子迁移能,使其更容易失去氧离子形成氧化物薄膜中的氧空位。反之,氧化物薄膜在衬底施加的压应力作用下则能够较好的保持化学组分,不容易形成氧空位。这种衬底应力对薄膜中氧离子的非线性调节效应也成为研究者们调控功能氧化物薄膜宏观物性的一个共识。然而,一直以来,如何在原...
以1,3,6,8-四(对胺基苯基)芘为构筑单元,通过席夫碱缩合反应,利用表面活性剂单分子层辅助的界面聚合法制备了芘基二维聚合物薄膜。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射、荧光光谱、傅里叶变换红外光谱和拉曼光谱考察了薄膜形貌、结构、结晶性和荧光强度等。结果表明:薄膜厚度约70nm,可通过单体浓度进行调控;表面活性剂单分子层的限域作用促进了薄膜的结晶性,而分子内氢键使其具有荧光...
通过脉冲激光沉积在(111)取向钇稳定的氧化锆(YSZ)衬底上制备了氧化钙(CaO)薄膜。室温下磁滞回线的实验观测数据表明CaO薄膜具有明显的铁磁性。X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明,CaO薄膜为(111)取向,没有杂质相。在高真空条件下生长和退火的CaO薄膜都表现出铁磁性磁化行为,而在相应的CaO靶材上没有检测到这种铁磁性。结果表明,氧空位浓度与氧化钙薄膜的磁化强度之间存在一定的相关性,后退...
场效应晶体管(FET)可以通过电场可逆调控材料的载流子浓度,是一种控制二维材料系统电学性质的有效方法。最近,作者实验室发明了一种新的场效应晶体管器件,它利用固体离子导体(SIC)作为栅介质,通过电场驱动锂离子进出样品来调控样品的载流子浓度,从而控制样品的物理性质和相变。在本论文中,作者利用这种新型的固体离子导体基场效应管器件(SIC-FET)成功地调控了ZrNCl薄层的电学性质。通过施加电场,将固...
采用脉冲激光沉积和化学溶液沉积相结合制备超导薄膜。在物理法制备的YGdBCO薄膜上实现化学法YBCO+BHO的同质外延生长。利用X射线衍射和扫描电镜对复合薄膜的相组成、织构和形貌进行了表征。结果表明,采用化学溶液沉积可以在YGdBCO层上制备出高性能的YBCO+BHO薄膜。复合薄膜具有良好表面形貌和锐利织构,而且复合薄膜在77K、1T的磁场下Jc为0.3MA/cm2,最大钉扎力达到3GN/m3。

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