搜索结果: 1-9 共查到“知识库 半导体加工技术”相关记录9条 . 查询时间(2.912 秒)
掺锗直拉硅片三步退火本征吸除清洁区形成的研究
半导体 硅 锗 内吸除
2009/8/31
运用高温-低温-高温三步退火的本征吸除工艺研究了锗的存在对硅片清洁区形成的影响。发现直拉硅中杂质锗的存在可促进氧的外扩散,抑制氧沉淀的发生并可形成较宽的清洁区。
高能离子注入硅的无损表征
高能 离子注入 无损表征
2009/8/31
将能量为3MeV,剂量为5×1015cm-2的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率。
硅CVD外延自掺杂效应的分析研究
硅 反向补偿 CVD
2009/8/31
本文首先对自掺杂机理进行了分析。并采用反向补偿原理,吸附-解吸、滞流层静态-动态转换等,对工艺进行优化,在通常条件下有效地控制了自掺杂。
利用反向补偿原理控制硅CVD外延层中的金属杂质和微缺陷
硅 CVD 外延
2009/8/31
本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外延层的金属杂质和微缺陷。
细电子束像差与畸变参量非劣解中的最优解
电子束 复合偏转 像差
2009/2/6
以电子束偏转磁场的像差和畸变为目标，对参量进行非劣解中找出贴近理想的最优解。以SDS-3电子束曝光机的磁复合偏转系统为基础，分析了像差与电子束主轨迹的关系。并给出了磁聚焦和静电的偏转场相复合情况下竖轴的3级几何像差系数和1级色差系数公式。应用中表明，复合系统结构简单紧凑，像差小而可以不用动态校正。
亚稳态氦原子束在纳米结构制作中的应用
亚稳态原子束 纳米结构制作 光掩模
2009/2/5
介绍两种用亚稳态氦原子束制作纳米结构的新方法。亚稳态原子束从原子源喷出后首先对其进行横向激光冷却，准直后的原子束穿过与之垂直的激光驻波场时发生淬火过程，原子的密度分布出现沟道化效应，给出基于光掩模制作纳米图形的基本原理、理论分析及模拟结果。介绍基于物理掩模制作纳米图形的原理和SAM抗蚀剂，利用沉积在基底上的亚稳态原子破坏基底上的SAM膜，结合刻蚀技术可制作出纳米量级的图形。
用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点. 芯片内凸点的高度一致性约1.42%, Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%, Ag元素在凸点中分布均匀. 研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理，及其对凸点连接可靠性的影响. 回流过程中SnAg与Cu之间Cu6Sn5相的生长与奥氏熟化过程相似. SnAg/Cu6Sn5界面中孔洞形成的主要原因是相转变过程中发...