搜索结果: 1-15 共查到“知识库 半导体物理学”相关记录145条 . 查询时间(2.23 秒)
8英寸碳化硅单晶研究取得进展（图）
碳化硅 单晶 宽带隙化合物半导体
2023/1/6
碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有重要的应用潜力。高质量、低成本、大尺寸SiC单晶衬底是制备SiC器件的基础，掌握...
二维半导体激子与表面等离激元纳腔的强耦合取得新进展（图）
二维半导体激子 表面等离激元纳腔 强耦合
2023/1/6
当半导体激子跃迁与光学微腔中的腔内光子能量交换速率大于他们的平均损耗时，耦合系统就会进入强耦合状态，形成新的准粒子-激子极化激元 (exciton-polariton). 极化激元作为一种半光、半物质的粒子，它不仅具备光子的优异特性，例如小的有效质量、快的传播速度和长程的时空相干特性，同时也在物质层面加强了粒子间的相互作用，大大增强了非线性效应。 因此，激子极化激元在实现诸如玻色-爱因斯坦凝聚、低...
本文结合近场扫描结构和纳米线-微光纤耦合技术，提出了一种基于硫化镉纳米线/锥形微光纤探针结构的被动近场光学扫描成像系统。该系统采用被动式纳米探针，保留了纳米探针对样品表面反射光的强约束优势。其理论收集效率为4.65‰，相比于传统的金属镀膜近场探针收集效率提高了一个数量级，可有效地提高扫描探针对样品形貌信息的检测能力；而后通过硫化镉纳米线与微光纤之间高效的倏逝场耦合，将检测的光强信号传输到远场进行光...
利用晶体结构工程提升GeSe化合物热电性能的研究
GeSe 晶体结构工程 热电性能 半导体
2022/3/11
在热电研究领域，GeSe是一种二维层状结构具有较大带隙的半导体，本征载流子浓度低，热电性能差。在本工作中，采用熔融淬火结合放电等离子活化烧结工艺制备了一系列的GeSe1–xTex（x=0，0.05，0.15，0.25，0.35，0.45）多晶样品，研究了Te含量对GeSe化合物物相结构和热电输运性能的影响规律。结果表明：随着Te含量的增加，GeSe的晶体结构逐渐由正交相向菱方相转变，使得材料的带隙...
在新型二维类金属半导体中实现五重低能电荷态（图）
二维类金属 半导体 五重 低能电荷态
2023/1/6
半导体中的孤立缺陷在带隙中形成易于探测和操控的缺陷态。在单缺陷态中对多重量子态的操控，可以用来实现量子计算或者存储的最小量子比特。另外，如果对单原子的孤立能隙态进行操控，还有可能获得非传统的量子光源，在量子密钥分发、量子中继和量子传感等方面具有潜在的应用。孤立缺陷具有电荷和自旋两种可被操控的自由度，以往的研究主要专注于对自旋量子态的操控，但是对自旋量子态的操控需要用到磁场等外场，难以实现未来量子芯...
采用溶剂热法制备了三维花状CeO2/TiO2异质结光催化剂，然后以甲基橙（MO）为模拟有机污染物，在氙灯照射下考察了其光催化活性。结果表明，花状结构由纳米片和纳米颗粒复合而成，纳米片上均匀地附着CeO2颗粒。Ce/Ti的物质的量之比（nCe/nTi）和溶剂热时间影响异质结的光催化性能，当nCe/nTi=0.1、溶剂热时间为6h时，CeO2/TiO2的光催化活性达到最佳，氙灯照射50min的降解率达...
中国科学院化学研究所发展出有机高分子半导体高效图案化新策略（图）
有机高分子 半导体 高效图案化
2022/9/22
近年来，高迁移率的有机高分子半导体的设计合成研究取得进展。然而，真正将有机高分子半导体的可溶液加工、柔性这些独特性质应用在集成电路中，仍面临困难。在集成电路中，半导体的图案化可以降低栅极漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。而当前针对有机高分子半导体的大面积、高集成度的图案化方法较少。此外，器件在全溶液加工过程中涉及的多种材料对非正交溶剂的耐受性较差，上层材料的加工过程会破坏下层材料。利...
三角形石墨烯纳米片电子和磁学性质的尺寸效应
石墨烯纳米片 量子尺寸效应 边界态 密度泛函理论
2022/3/18
基于密度泛函理论，本文研究了氢钝化锯齿形边缘三角形石墨烯纳米片的电子结构和磁学性质，这种石墨烯纳米结构的基态表现出强烈的磁性边缘态和量子尺寸效应。我们应用多种交换关联泛函，对体系的自旋密度和电子结构进行了第一性原理计算和理论分析，结果表明三角形石墨烯纳米片的总磁矩和自旋随尺寸线性变化，平均磁矩随着尺寸变大而增加，并逐渐趋于一个定值。与此同时，体系的能隙随着尺寸增加而减小，其中自旋不变能隙的调控对光...
以半导体材料为基础的微电子技术正面临尺寸极限和功耗的双重挑战与发展瓶颈。低温电子学作为突破上述瓶颈的新兴应用研究学科之一，得到科研和产业界越来越多的关注。2017年起，低温电子学和量子信息处理被国际器件与系统路线图（IRDS）列为重点关注的十大焦点领域之一。以低温到室温的微弱、高频电信号传输为核心的跨温区互联技术是低温电子学和量子信息处理必须解决的关键技术之一。本文对跨温区互联面临的主要问题与挑战...
n-p 共掺杂材料体系自旋电子学性质研究进展
n-p共掺 稀磁半导体 石墨烯 拓扑绝缘体
2022/3/18
掺杂在调控材料体系的物理化学性质方面起着重要的作用。n-p共掺杂方法借助n型和p型掺杂物间强的静电相互作用，能够解决一些材料体系研究中存在的关键性问题，进而有效的改进这些体系的某方面特殊性质。本文中，将首先介绍n-p共掺杂方法；然后，分别从非补偿性n-p共掺杂和补偿性n-p共掺杂出发，对近些年来，明确利用n-p共掺杂方法，在稀磁半导体、石墨烯以及拓扑绝缘体等不同材料体系自旋电子学性质的相关研究进行...
Improvement of temperature uniformity in rapid thermal processing systems using multivariable control
Temperature uniformity rapid heat treatment system a semiconductor chip the chip temperature distribution the chip
2015/8/12
During rapid thermal processing (RTP) of a semiconductor wafer, maintenance of near-uniform wafer temperature distribution is necessary. This paper addresses the problem of insuring temperature unifor...
Dynamics and control of a rapid thermal multiprocessor
Kinetics thermal multiprocessor semiconductor chips nonlinear model the control strategy
2015/8/12
A first-principles low-order model of rapid thermal processing of semiconductor wafers is derived. The nonlinear model describes the steady-state and transient thermal behavior of a wafer with approxi...
Multivariable feedback control of semiconductor wafer temperature
Multivariate semiconductor chip temperature temperature control chip rapid heat treatment semiconductor chips sensors
2015/8/12
The authors consider the problem of wafer temperature control in rapid thermal processing (RTP) of semiconductor wafers. They present a novel approach to the analysis of candidate sensor configuration...
Phase transitions in a three dimensional U(1)×U(1) lattice London superconductor: Metallic superfluid and charge-4e superconducting states
Three dimensional lattice superconductor condensation coupling pulse measurement the current current coupling
2014/12/18
We consider a three dimensional lattice U(1)×U(1) and [U(1)]N superconductors in the London limit with individually conserved condensates. The U(1)×U(1) problem, generically, has two types of intercom...