搜索结果: 121-135 共查到“知识库 半导体技术”相关记录1018条 . 查询时间(1.968 秒)
基于热点行搜索的低功耗数据高速缓存
低功耗 过滤访问 热点行搜索
2017/1/4
针对数据高速缓存短时间内频繁访问连续区段的特征,该文提出了一种基于热点硬件自搜索和历史访问轨迹的数据高速缓存低功耗方法.该方法通过动态搜索热点片段,缓存目标热点行在高速缓存中的位置信息,过滤标签存储器和冗余数据存储器的访问.运行EEMBC测试基准的实验结果表明,与基于MRU(Most Recently Used)的路预测方法相比,该方法Cache的动态功耗可降低30.77%,性能提升26.21%.
New 'tunable' semiconductors will allow better detectors, solar cells
New 'tunable' semiconductors allow better detectors solar cells
2014/4/16
One of the great problems in physics is the detection of electromagnetic radiation – that is, light – which lies outside the small range of wavelengths that the human eye can see. Think X-rays, for ex...
Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC
氮化镓 功率放大器 微波集成电路 Ku波段
2017/1/5
基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W...
基于自整定模糊PID算法的LD温度控制系统
自整定模糊PID 半导体激光器 温度控制 MSP430
2016/8/25
为了使半导体激光器(LD)能够稳定工作, 设计并实现了一个高效的温度控制系统。该系统使用MSP430单片机作为处理器,负温度系数热敏电阻(NTC)作为温度传感器,半导体制冷器(TEC)作为执行元件。系统通过自整定模糊PID算法,采用闭环负反馈结构实现对LD温度的稳定控制。实验结果表明,该控制系统温度从21.9 ℃上升到目标温度25 ℃,建立稳态的时间为68 s,且温度可控制在25±0.05 ℃范围...
针对采用单一发射天线的导航信号欺骗干扰，研究了基于天线阵载波相位双差的欺骗干扰检测技术，采用代数方法证明了三元非线阵是进行导航信号到达角无模糊解算的最少阵元数和阵型要求，并以相应阵型为基础，提出了基于天线阵载波相位双差的欺骗干扰检测量构造方法，给出了检测性能的分析方法，定义了用于限制检测性能下降的最小检测门限。采用蒙特卡洛方法对所提检测方法的检测性能进行了仿真，结果验证了理论分析的正确性。
双光注入分布反馈半导体激光器的非线性动力学态实验研究
分布反馈半导体激光器 DFB-SLs 双光注入 非线性动力学 单周期 倍周期 混沌
2014/2/17
实验研究了分布反馈半导体激光器（DFB-SLs）在双光注入下的非线性动力学行为. 研究结果表明：与单光注入相比，双光注入将使DFB-SLs呈现更丰富、更复杂的非线性动力学行为. 固定两注入光的波长，获得了双光注入强度取不同值时DFB-SLs输出的光谱和功率谱信息. 基于这些信息，对处于A，B和C三种不同情形下双光注入DFB-SLs所呈现的一些典型的动力学状态进行了判定. 最后，给出了双光注入DFB...
采用含掺杂半导体光子晶体的太赫兹梳状滤波器
光子晶体 掺杂半导体 缺陷模 太赫兹滤波
2016/8/22
用a 介质（n 型掺杂GaAs）和b 介质（TiO2）组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明：此光子晶体在3.0~4.5 THz 范围内出现了5 个透射率为1 的缺陷模，这些缺陷模有如下特征：当n型掺杂GaAs 的掺杂浓度n由1017/cm3 增加到1019/cm3 时，缺陷模的中心、半峰全宽度和透射率均保持不变，但若n增至1020/cm3，则缺陷模的透射率开始下降。入射角增加，缺陷模的透射率保持...
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路，其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生，正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生．该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证，基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75％．测试结果表明，该电路功耗仅为0.65μW，最低工作电压为0.829V，温度系数为±63×10-...
提出了一种针对定点小数乘法器位宽的低功耗优化算法，阐述了其基本原理及实现方案，并通过现场可编程门阵列(FPGA)测试，验证了该算法的低功耗优化效果．在算法上，其优化指标为小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽；而在实现技术上，解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统，从而降低了系统优化效果的问题．该算法适用于对含有大量小数乘法运算的系统进行低功耗优化，例如数字信号处理、数字滤波器等...
半导体激光器在各领域的广泛应用要求其输出功率不断提高，使得多芯片集成封装大功率半导体激光器的发展成为主流之一。针对典型的12 只芯片以阶梯形式封装的百瓦级激光器，利用ANSYS 软件进行了稳态热分析，模拟得出芯片有源区温度及其热耦合温升与热沉结构尺寸变化的关系曲线，分析了该激光器热特性，进而提出一种使芯片散热较好的热沉结构。
半导体光放大器中SPM效应对光脉冲传输性能的影响
半导体光放大器 自相位调制 波形 频谱
2016/8/19
为了研究半导体光放大器（SOA）中自相位调制（SPM）效应对光信号传输性能的影响，从SOA中光脉冲的传输方程出发，采用数学推导的方法，分析了SPM 效应的产生机理，得到了光脉冲经SOA 放大后的时域和频域变化特性，并针对无啁啾和带啁啾光脉冲两种情况进行了仿真研究。结果表明：SPM 导致了光脉冲时域波形的“倾斜”和频谱的红移，并且随增益的变大“倾斜”和红移的程度增强；啁啾系数的符号决定了频谱是红移还...
本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2dB至4dB,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50dB.整个电路的直流功耗小于32mW.
量子阱红外探测器双面金属光栅设计优化
双面结构 金属光栅 量子阱红外探测器 表面等离子极化激元
2016/8/19
提出了一种增强量子阱红外探测器耦合效率的双面金属光栅结构。采用三维时域有限差分算法（3D-FDTD）对GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器双面结构金属光栅进行了仿真分析。通过对比不同周期、占空比、金属层厚度结构参数下探测器的电场分布及相对耦合效率，确定了4.8 μm 探测器优化的双面金属光栅结构。与顶部和底部单层金属光栅结构比较，双面金属光栅结构探测器相对耦合效率提高到3 倍以上。探测器相对耦...
电声成像模拟测量装置方案设计及优选
电声成像探测器模拟测量装置 模糊综合评判
2014/3/21
针对测井仪器在使用和推广中,缺乏系统的、理论性应用基础方面的室内研究手段而难形成商业化规模,制约了其发展的问题,根据微电阻率成像和超声成像的工作原理及实际运动测量的模式,并结合实验室用的特点,设计了一套井周电声成像探测器模拟测量装置,该装置实现了x、y、z及d(圆周)4个方向的运动,在x、d方向设计了多种方案.利用模糊评判的原理,对d和x方向的多种方案进行了综合评价,建立了隶属函数及权重,通过专家...