搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录140条 . 查询时间(0.609 秒)
钙钛矿太阳能电池研发取得重要突破
钙钛矿 太阳能 电池
2024/10/22
英飞凌研发低成本氮化镓芯片获突破
英飞凌 氮化镓 芯片 节能
2024/10/22
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展(图)
演化 光电 神经网络 器件
2024/8/11
III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长,由于大的晶格失配和热失配,导致高密度穿透位错(108-1010),极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果,明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型(Small 2022, 18, 2200057),阐明了原子尺度界面应力释放机制(Nano Letters...
中国科学院半导体所等在砷化镓(GaAs)中产生自旋极化研究方面取得进展(图)
半导体材料 电子器件
2024/8/11
如何在半导体材料体系中产生自旋极化是半导体自旋电子学领域的关键科学问题,受到科研人员的广泛关注。常规方法是在磁性金属/半导体异质结中,通过自旋极化电流在半导体中注入净自旋。若能在非磁性半导体材料体系中产生自旋极化,将能有效避免磁性金属/半导体异质结中碰到的电导失配等难题,从而为相关自旋电子学效应的研究提供更多丰富选择。
中国通信学会推荐的4项技术入围2023年“科创中国”先导技术榜
中国通信学会 电子信息 科创中国 先导技术榜
2024/9/19
中国科学院宁波材料所在氮化钛单晶的强关联电子研究方面取得进展(图)
氮化钛单晶 电子 半导体芯片
2024/6/19
由于具有高硬、难熔、耐磨、耐腐蚀、高导电性、良好半导体及生物兼容性等优异综合物理化学性质,以氮化钛(TiN)为代表的过渡金属氮化物在极端环境涂层、半导体芯片、生物医疗、纳米光子学、超导量子计算等领域的很多方面具有不可替代性。同时,过渡金属氮化物也展现出了许多新奇的量子现象,如超导-绝缘转变、超绝缘态以及超导赝能隙等。然而,与被广泛研究的过渡金属氧化物和过渡金属硫化物相比,由于缺乏高质量单晶材料,对...
合肥工业大学微电子学院在蓝光危害检测领域取得重要进展(图)
蓝光 危害检测 半导体器件
2024/8/1
陕西半导体先导技术中心推出技术“狠活”:1200V 100A三电平全碳化硅模块新品发布(图)
三电平 全碳化硅 模块
2024/10/23
中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展(图)
电子器件 磁场 拓扑
2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而,经过二十年的科学探索,人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如,自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释,面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此,中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
央视报道!东南大学信息科学与工程学院团队突入6G无人区:很酷又很苦(图)
东南大学 6G 无人区 芯片
2024/6/26