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东南大学国家ASIC中心单伟伟、杨军团队在ISSCC 2020发表AI芯片亮点论文
东南大学国家ASIC中心 单伟伟 杨军 ISSCC 2020 IEEE国际固态电路峰会 AI芯片 人工智能
2022/5/7
2020年2月16-20日，第67届IEEE国际固态电路峰会（ISSCC 2020）于美国旧金山召开。这是世界上规模最大、最权威、水平最高的固态电路国际会议，被称为集成电路行业的芯片奥林匹克大会。此次ISSCC的主题是“Integrated Circuits Powering the AI ERA”，彰显了人工智能时代集成电路的重要地位。
中国科学院微电子研究所在氮化镓界面编辑方面取得新进展（图）
氮化镓 界面编辑 SiNx/GaN界面晶化
2021/3/3
近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与中科院合肥物质科学院固体物理所刘长松研究员团队、微电子所先导中心工艺平台合作在GaN界面编辑领域取得了新进展，揭示了低压化学气相沉积（LPCVD）SiNx/GaN界面晶化的形成机理，在理论上创新定义了θ-Ga2O3结构，并将1ML θ-Ga2O3薄层插入界面调控未饱和原子化学键，进而有效抑制了界面带隙电子态密度。
浙江大学微纳电子学院屈万园老师团队在ISSCC发文：新型数据中心电源芯片（浙大以第一作者单位首次在ISSCC发文）（图）
浙江大学微纳电子学院 屈万园 ISSCC 新型数据中心电源芯片 电源芯片
2022/5/31
近日，浙江大学微纳电子学院屈万园老师团队在数据中心电源管理芯片设计领域取得重要成果。研究者发布了一款应用于高性能数据中心的高能量密度48V/1V电源转换器芯片，该芯片为国际上首款片上集成功率管48V/1V数据中心电源转换芯片。该研究成果为此类芯片应用于高性能数据中心的电源管理系统提供了新的技术方案，对数据中心节能减排有着积极的意义。
近日，依托于专用集成电路技术研究所（国家专用集成电路系统工程技术研究中心）建设的南京低功耗芯片技术研究院有限公司入选了2020年江苏省研究生工作站，后期，低功耗研究院将与中心开展研究生联合培养。
针对此假设，中科院微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士科研团队提出了一种基于量子电子液体的模型来解释导电高聚物中长期存在争议的非线性输运现象。考虑到高聚物一维电子结构之间耦合程度，利用费米液体与拉廷格液体形成的异质电阻网络结构，成功解释了导电高聚物中共存的一维和二维电子在低温下的非线性激发行为，这不仅描述了非线性输运的I-V及G-T特征，而且为解析有机固体中的无序来源提供了一种新的思路。
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了独立双栅非晶IGZO薄膜晶体管紧凑建模的最新研究成果。非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因其极低的漏电流和低温工艺等特点，近些年在柔性显示、存储器和三维集成等方面愈发到关注。独立双栅（IDG）a-IGZO TFT由于其更大的开关比和对阈值电压的调控能力成为当前工业界的选择。要进一步评...
拉伸金刚石打造下一代微电子器件（图）
拉伸 金刚石 下一代 微电子器件
2021/1/4
中国香港城市大学、哈尔滨工业大学和美国麻省理工学院等机构研究人员，首次使用纳米力学方法，实现了微晶金刚石阵列的大而均匀的拉伸弹性应变。该发现显示了金刚石作为微电子学、光子学和量子信息技术中高级功能器件的主要候选材料的潜力。相关论文近日刊登于《科学》
山东大学微电子学院宋爱民、辛倩课题组发表IEEE EDL封面文章
薄膜晶体管 集成电路 互补型 CMOS
2021/1/4
近日，微电子学院宋爱民、辛倩课题组在互补型（CMOS）薄膜晶体管集成电路研究领域取得了突破性进展，相关结果以“Thin Film Sequential Circuits: Flip-Flops and a Counter Based on p-SnO and n-InGaZnO”为题，发表在国际微电子器件领域的顶级期刊IEEE Electron Device Letters，并选为该期封面文章。论...
中国科学院微电子研究所在新型安全芯片领域取得进展（图）
中国科学院微电子研究所 安全芯片 存储器 硬件安全
2021/1/15
近日，刘明院士科研团队基于新型存储器的硬件安全芯片领域的两篇研究论文成功入选2020年第66届国际电子器件大会（IEDM）。随着物联网技术的爆炸式发展，连接到云端的设备数量越来越多，设备的安全性问题更加凸显。每年有大量设备受到安全威胁和恶意攻击。物理不可克隆函数（PUF）为不安全环境下的芯片认证和保护设备免受物理攻击提供了一种有效的方法，对人工智能芯片保护具有十分重要的意义。云端训练好的模型经简化...
今年尽管受到疫情影响，在迟宗涛教授带领下，主动创新本科生科研工作指导形式，带领17、18、19级微纳英才班的十多名本科生开展有机光子学芯片的设计与构筑和智能传感技术等领域的研究工作，相关成果已经发表在了国际知名期刊Sensors & Actuators: B. Chemical (304,2020,127305,一区), Advanced Materials Interfaces (2020,00...
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
根据《关于表彰2020年度中国机械工业科学技术奖奖励项目的决定》，由中科院微电子所牵头，联合中科院西安光机所、清华大学共同完成的“飞秒激光跟踪测量技术及应用”项目荣获2020年度中国机械工业科学技术发明奖特等奖.该奖项为本年度技术发明类唯一的特等奖。“飞秒激光跟踪测量技术及应用”项目的微电子所主要完成人包括，周维虎、董登峰、纪荣祎、张滋黎、崔成君、程智、石俊凯。项目主要依托于国家重大科学仪器设备开...
青岛大学电子信息学院单福凯教授课题组在微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters发表高水平研究论文（图）
青岛大学电子信息学院 单福凯 微电子 IEEE Electron Device Letters
2022/2/13
近日，青岛大学电子信息学院单福凯教授课题组在微电子器件研究领域取得重要进展，研究成果在微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters上发表。一维金属氧化物纳米纤维由于其独特的优势，在场效应晶体管集成方面具有广阔的应用前景。静电纺丝工艺由于其大规模制备和较低的成本，被认为是最具优势的纤维制备工艺。然而，静电纺丝制备的纳米纤维之间，以及纤维与衬底之间由于简单松散的堆叠，这会...
三维微电子封装热管理因素尤为突出，其原因是封装材料特征尺寸已缩小至几个微米，原位实验表征困难，材料微观结构因素包括原子尺度结构对封装材料的热管理和可靠性设计造成挑战。传统电子封装可靠性模拟与仿真结果与实验不符，领域急需面向三维微电子集成与封装可靠性模拟与仿真的新方法和新工具。我院黄智恒副教授研究小组在三维微电子封装铜硅通孔凸起机理原子尺度研究中取得进展，相关研究成果近日以专著章节的形式呈现在Spr...
中国科学院金属研究所叶恒强院士获得“中国电子显微学终身成就奖”（图）
中国科学院金属研究所 叶恒强 中国 电子显微学 终身成就奖
2020/11/30
近日，在“2020年全国电子显微学学术年会”上，中国电子显微镜学会向叶恒强院士颁发了“中国电子显微学终身成就奖”，以表彰其在电子显微学研究领域五十余年的辛勤耕耘，以及对中国电镜事业发展壮大作出的卓越贡献。