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Shift in room-temperature photoluminescence of low-fluence Si+-implanted SiO2 films subjected to rapid thermal annealing
rapid thermal annealing (RTA) Si+ implantation photoluminescence SiO2 films
2010/10/12
We experimentally demonstrate the effect of the rapid thermal annealing (RTA) in nitrogen
flow on photoluminescence (PL) of SiO2 films implanted by different doses of Si+ ions.
Room-temperature PL f...
专著信息
书名
Effect of Annealing on the Properties of Low-k Nanoporous SiO2 Films Prepared by Sol-Gel Method with Catalyst HF
语种
英文
撰写或编译
作者
Z.W. He,X.Q. Liu,D.Y. Xu,Y.Y. Wang
第一作者单位
出版社
Microelectronics R...
专著信息
书名
Low dielectric constant nanoporous SiO2 films formed by twice modification processing
语种
英文
撰写或编译
作者
C.M.Zhen,Z.Q.Zhao,Z.W.He X.F.Nie,Y.Y Wang
第一作者单位
出版社
Materials Letters 59 1470-1473 (2005)
...
专著信息
书名
Structural characteristic and thermal stability of nanoporous SiO2 films prepared by sol-gel method with catalyst HF
语种
英文
撰写或编译
作者
Z.W. He,X.Q. Liu,Y.Y. Wang
第一作者单位
出版社
Materials Science & En...