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搜索结果: 1-8 共查到GeTe相关记录8条 . 查询时间(0.062 秒)
磁性阻尼是自旋动力学中一个非常重要的参数,它表征电子能量及动量向晶格弛豫的过程的快慢,决定了磁化翻转时间和临界电流密度。理解和控制磁性材料的阻尼因子对基础研究和自旋电子学器件的设计至关重要。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关。而在铁磁/非磁材料异质结的体系中,拓扑绝缘体表面态以及Rashba界面成为改变阻尼因子的另一影响因素。
磁性阻尼因子是自旋动力学中的关键参数之一,描述了电子在晶格中弛豫的速度,涉及电子能量和动量的传递过程。这个参数对于自旋电子器件的自旋翻转时间和临界电流密度至关重要。研究和控制磁性材料的阻尼因子,对基础研究和自旋电子学器件的设计具有重要意义。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关。理论上阻尼因子应是一个张量,但实验上,由于电子的随机散射,阻尼因子通常表现出各向同性,因...
磁性阻尼因子是自旋动力学中的一个关键参数,它描述了电子在晶格中弛豫的速度,涉及到电子能量和动量的传递过程。这个参数对于自旋电子器件的自旋翻转时间和临界电流密度至关重要。理解和控制磁性材料的阻尼因子对于基础研究和自旋电子学器件的设计具有重要意义。内禀阻尼因子与自旋-轨道耦合强度、费米面处的态密度以及动量散射时间有关,理论上阻尼因子应该是一个张量,但在实验上,由于电子的随机散射,阻尼因子通常表现出各向...
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室成昭华课题组利用分子束外延技术生长出高质量的铁电Rashba半导体薄膜α-GeTe。前期的角分辨光电子能谱(ARPES)测量结果显示,α-GeTe同时具有表面和体Rashba能带结构,其体Rashba系数可至~4.3 eVÅ,对应的自旋劈裂能高达~2300 KBT【Xu Yang et al., Nano Lett. 21...
We propose an experimental technique to generate large amplitude coherent phonons with irradiation of THz-rate pump pulses and to study the dynamics of phase transition in GeTe ferroelectrics.When a s...
Femtosecond dynamics of coherent optical phonons in GeTe/Sb2Te3 superlattices (SLs), a new class of semiconductor SLs with three different states, have been investigated by using a reflectiontype pum...
Femtosecond dynamics of coherent optical phonons in GeTe/Sb$_{2}$Te$_{3}$ superlattices (SLs), a new class of semiconductor SLs with three different states, have been investigated by using a reflecti...
In this study, such kinetic cparametres as thermoelectro motor force (thermo e.m.f), electrical coductivity, heat conductivity, Hall and Nernst-Ettingshausen coeficients are investigated, as a functio...

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