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中国科学院微电子研究所专利：提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法
超大规模集成电路（ULSI）SiO_2介质CMP机理研究
CMP 集成电路 氧化硅介质
2008/10/30
该项目针对1990年以来国际上ULSI制备中多层布线介质化学机械全局平面化（CMP）急待解决的机理问题，提出了新的动力学过程，在（CMP）过程中形成大分子产物加速产物脱离反映表面，提高抛光速度的新机理模型；对抛光后解决表面吸附粒子及金属杂质和有机物难题提出了有限吸附数学模型，在此模型指导下进行了活性剂的选择研究，有效控制避免杂质在表面形成难清洗的化学吸附，实现表面长期处于易清洗的物理吸附。达到国...