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近日，上海技物所王林、陈效双、陆卫研究团队和东华大学、意大利拉奎拉大学相关团队共同合作，通过精确操控第二类狄拉克费米子态诱导布洛赫自旋电子单向散射，实现高频信号传递，相关成果以“High-frequency rectifiers based on type-II Dirac fermions”（DOI: 10.1038/s41467-021-21906-w）为题发表于《自然-通讯》（Nature ...
单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世（图）
单原子层沟道 鳍式场效应 晶体管 问世
2020/3/6
20世纪40年代以来，以微电子技术为主导的信息技术革命极大推动了科学技术的发展和社会的变革。过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。目前集成电路中可实现的最小加工尺寸为3-5纳米。当前，随着集成电路特征尺寸逼近工艺和物理极限，进一步缩小晶体管器件特征尺寸极具挑战。
西安电子科技大学微电子封装技术课件 封装的寄生效应。
自旋电子学是一门交叉学科，其核心内容是通过调控固态系统中电子的自旋自由度，将标准的微电子技术与自旋相关效应有机结合在一起，为研制新一代高性能电子器件提供机会。值得一提的是，与当今已广泛应用的金属-氧化物-半导体电子器件相比，电压（或电场）调控的自旋电子器件具有能耗低、处理速度快、集成度高及功能多等优势，近年来在信息技术领域引起了人们的普遍关注。然而，由于在一般材料中磁化强度和电场之间缺乏足够强的直...
近日，在西安交通大学电信学院微电子学院贺永宁教授和青年教师彭文博的指导下，博士生潘子健和李芳沛等研究成员以异型和同型异质结光电二极管为研究对象，通过对比压电光电子学效应在两种异质结光电二极管器件中的性能调制作用，系统地研究了不同器件结构对压电光电子学效应的影响。研究结果表明，压电光电子学效应能使p-n异型异质结光电二极管器件的性能增强约150%，而仅能使n-n同型异质结光电二极管器件的性能增强约5...
中国科学院物理研究所发现基于磁性绝缘体的磁子阀效应（图）
中国科学院物理研究所 磁性绝缘体 磁子阀效应
2018/3/9
面向后摩尔时代的信息存储与逻辑运算需求，自旋电子器件在开发下一代具有更小单元尺寸、非易失性、低功耗和高速度的微电子器件中提供了具有广阔前景的发展方向。其中，自旋阀是各类自旋电子器件的核心单元，自旋阀通常包括两层铁磁金属和非磁中间层构成的三明治核心结构，由于自旋极化电子在两铁磁层间的输运，从而使器件的电阻受到两铁磁层相对取向的调制。基于自旋阀结构的室温巨磁电阻(GMR, 1988年)和室温隧穿磁电阻...
首先对Au纳米颗粒进行巯基修饰,再对其采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)进行二级修饰,并将其自组装负载于石墨烯纳米毯(GNSs)上。通过紫外-可见吸收光谱证明Au纳米颗粒在石墨烯纳米毯(GNSs)上的成功负载。通过透射电子显微镜探明其微观结构,表明Au纳米颗粒在石墨烯纳米毯上呈现局部规整排列,其原因与石墨烯纳米毯自身的平整结构有关。采用开孔Z-扫描技术研究了负载Au纳米颗粒的石墨烯纳米...
日前，通过近两年的努力，国内第一个低温可充气真空辐射系统由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)研制成功。
该低温测试系统由一室可靠性测试小组的刘刚、毕津顺、曾传滨等科研人员自行设计完成，其极限真空<10-7Pa，12小时静态漏气<0.1Pa，气体充气能力为1Pa—1MPa，液氮温度连续实验时间>5小时。
由于易于集成, 基于有机场效应晶体管的非挥发性存储器件在低成本、轻便、柔性存储领域具有广泛的应用前景. 本文综述了浮栅型、有机电介体型和铁电型以及其他一些特殊结构的有机场效应晶体管存储器的最新研究进展, 并对目前所存在的主要问题进行了讨论.
基于表面等离子体效应的MEMS红外辐射源特性研究
表面等离子体效应 MEMS红外辐射源 光子晶体
2014/5/12
研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振Surface plasmon resonance（SPR）效应的红外辐射源，该辐射源基本结构为Si-SiO2（650nm）-Cr（100nm）-Au（800nm），并在Au表面刻蚀5m的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构，包括三种不同的圆孔间距即晶格常数：6m, 7m, 和8᠊...
四室成功研制实现石墨烯场效应晶体管（图）
石墨烯场效应 晶体管
2009/12/18
中科院微电子所微波器件与电路研究室（四室）针对国际前沿热点石墨烯（graphene）材料及器件开展了创新性研究，在吴德馨院士和刘新宇主任的大力支持下，金智研究员领导课题组对石墨烯材料和器件工艺展开深入研究，近日成功研制实现了首只石墨烯场效应晶体管（GFET）。
中国首个ZnO纳米棒场效应晶体管在我所研制成功（图）
纳米 晶体管
2011/11/4
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）依靠独立开发的全新技术，成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料（纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等）具有较常规体材料更为优越的性能，在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景，引起了国际学术界的极大关注。目前，国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。