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近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在高迁移率的石墨烯单晶晶圆研究方面取得进展，相关工作以“Wafer-scale growth of single-crystal graphene on vicinal Ge(001) substrate”为题发表在Nano Today期刊上(Nano Today 2020, 34, 100908)。
清华大学微电子学研究所任天令团队在石墨烯人工喉领域再获突破（图）
清华大学微电子学研究所 任天令 石墨烯 人工喉
2019/7/26
2019年7月9日，清华大学微电子所任天令教授团队在纳米领域重要期刊《美国化学学会纳米》（ACS Nano）上发表了题为《一种可穿戴的类肤性高灵敏石墨烯人工喉》(“A Wearable Skinlike Ultra-Sensitive Artificial Graphene Throat”)的研究论文。该器件集收声和发声于一体，可直接贴附于失语者喉部，并将喉部的不同动作转化为对应声音，有望帮助失语...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度（750℃）条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。研究论文于4月4日在Small上在线发表(X.F. Zhang, et al, Epitaxial Growth of 6 in. Single-Crystalline Graphe...
近日，清华大学微纳电子所教授刘泽文、北京交通大学电子信息工程学院邓涛副教授联合团队在国际著名学术期刊《纳米快报》（Nano Letters）上发表了题为《基于三维石墨烯场效应管的高性能光电传感器》（”Three-Dimensional Graphene Field-Effect Transistors as High Performance Photodetectors”）的研究论文。该论文利用自...
2018年8月28日，清华大学微纳电子系任天令教授团队在《美国化学学会纳米》（ACS Nano）上发表了题为《用于人体运动检测的负电阻变化石墨烯织物应变传感器》（“Graphene Textile Strain Sensor with Negative Resistance Variation for Human Motion Detection”）的研究论文。该传感器呈现出一种全新的特性，显示出...
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积（CVD）方法成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出高质量单层石墨烯材料，并将其成功应用于除...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质/沟道界面钝化层，调制界面特性，有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代，锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难题。研究论文Fluorinated graphene in interface engineering ...
近日，中国科学院微电子研究所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破。中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员的研究团队在国家和中国科学院科研项目的支持下，对石墨烯的材料生长、转移和石墨烯射频器件的制备进行了深入、系统的研究，制备出了具有极高振荡频率的石墨烯射频器件，取得了一系列重大成果。
首先对Au纳米颗粒进行巯基修饰,再对其采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)进行二级修饰,并将其自组装负载于石墨烯纳米毯(GNSs)上。通过紫外-可见吸收光谱证明Au纳米颗粒在石墨烯纳米毯(GNSs)上的成功负载。通过透射电子显微镜探明其微观结构,表明Au纳米颗粒在石墨烯纳米毯上呈现局部规整排列,其原因与石墨烯纳米毯自身的平整结构有关。采用开孔Z-扫描技术研究了负载Au纳米颗粒的石墨烯纳米...
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯电子器件。
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
电子器件 研制 突破
2011/10/28
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯电子器件。
石墨烯晶体管首发生成技术——低温、全表面、直接生成（图）
石墨烯晶体管 低温 全表面 直接生成
2009/12/9
富士通实验室日前宣布，采用化学气相沉积技术(CVD)在温度较低的条件下直接在大尺寸绝缘衬底上全面生成石墨烯晶体管。富士通将石墨烯制造温度明显地降低到650℃，使得石墨烯晶体管可以直接在多种绝缘衬底直接生成。在整个晶片表面进行多层石墨烯的低温合成通CVD控制石墨烯的厚度。使用石墨烯作为沟道材料的晶体管生成过程如下图所示，由于过程不受尺寸限制，因此可运用于大尺寸晶片，测试晶片尺寸为77毫米但新技术可应...
富士通实验室日前宣布，采用化学气相沉积技术(CVD)在温度较低的条件下直接在大尺寸绝缘衬底上全面生成石墨烯晶体管。富士通将石墨烯制造温度明显地降低到650℃，使得石墨烯晶体管可以直接在多种绝缘衬底直接生成。在整个晶片表面进行多层石墨烯的低温合成通CVD控制石墨烯的厚度。使用石墨烯作为沟道材料的晶体管生成过程如下图所示，由于过程不受尺寸限制，因此可运用于大尺寸晶片，测试晶片尺寸为77毫米但新技术可应...
四室成功研制实现石墨烯场效应晶体管（图）
石墨烯场效应 晶体管
2009/12/18
中科院微电子所微波器件与电路研究室（四室）针对国际前沿热点石墨烯（graphene）材料及器件开展了创新性研究，在吴德馨院士和刘新宇主任的大力支持下，金智研究员领导课题组对石墨烯材料和器件工艺展开深入研究，近日成功研制实现了首只石墨烯场效应晶体管（GFET）。