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FFS产品树脂材料结构ITO刻蚀技术研究
树脂材料 ITO刻蚀 ITO刻蚀液 涂胶工艺
2014/3/20
树脂材料表面平坦度高,光透过率高,介电常数低(ε≈3.5),在薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)中使用树脂材料作为钝化层,可以降低公共电极和源、漏金属之间的电容,降低逻辑功耗,达到降低整体功耗的目的,同时增大开口率。文章讨论在边缘场中引入树脂材料作为钝化层产生的与氧化铟锡(ITO)刻蚀相关问题:金属Mo腐蚀,ITO缺失等。通过优化刻蚀工艺,感光树脂与非感光树脂和ITO刻蚀液的搭配,以及改变树脂涂胶...
选用分散剂甲基纤维素(Methyl cellulose，MC)，通过球磨分散法制备铟锡氧化物 (Indium tin oxide，ITO)水相浆料；研究MC用量、ITO粉体用量和球磨分散时间对ITO浆料稳定性能的影响及MC的分散机理。研究结果表明：MC在球磨分散ITO浆料过程中起到很好的分散作用，它的分散机制为静电位阻稳定作用；当MC相对ITO粉体质量分数恒定时，随着MC用量、ITO粉体用量和球磨...
ITO上磁控溅射ZnO薄膜及其光电性质
ITO 磁控溅射 ZnO薄膜 光电性质
2009/3/12
在ITO(In2O3:Sn)衬底上射频溅射ZnO薄膜,研究了射频溅射功率对ZnO薄膜的晶体结构,表面形貌及光学透过率的影响.结果表明,随着射频功率的提高,沿(002)方向生长的ZnO薄膜的结晶度显著增强,薄膜的表面颗粒略有减小,表面粗糙度由13.13 nm降低到5.06 nm.在300～400 nm波长范围内薄膜的光学透过率随着射频功率的增加而降低.在双层薄膜中空间内建电场的存在有助于光生电子和空...
高纯纳米级ITO复合粉末（铟、锡氧化物复合粉末）
纳米级ITO复合粉末 沉淀法 薄膜材料
2009/2/26
ITO透明导电氧化物(掺锡氧化铟Tin-doped Indium Oxide简称ITO)薄膜材料，具有禁带宽 、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性。ITO材料研究与应用较为广泛、成熟，其中，大尺寸、高性能电子溅射靶(ITO靶材)是电子及信息产业不可缺少的材料，它广泛用于电子线 路基板的镀层；硬盘等耐磨镀层；光、电、磁的功能膜层等，如计算机光盘、家庭映碟、笔计本电脑的显示屏、太阳能电池和其...
溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响
溅射 RTA处理 ITO薄膜
2009/2/11
采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3+(Snx4+·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4+·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%...
In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究
薄膜 红外反射率 ITO 光学特性
2008/11/13
对掺三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３简称ＩＴＯ）薄膜光学特性进行了研究. 结果表明, 该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ＩＴＯ薄膜在红外区的反射率随薄膜广场电阻的减小而增大, 表现在金属性质, ＩＴＯ薄膜的电磁本构特性参数光学折射率ｎ和消光系数Ｋ在４５０－８００ｎｍ区间的色散很弱, 基于对薄膜光学吸收及收系线性拟事表明, 薄膜在Ｋ＝０处价速写对导带的跃迁是禁戒跃迁.
ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。靶材的主要性能指标为高纯度≥99.99％；高密度，相对密度≥92％。靶材目前纯度达到要求，密度热等静压产品大于98％，真空热压产品大于93％。应用与推广情况：已应用。技术转让条件：面议。
Characterization of ITO/CdO/glass thin films evaporated by electron beam technique
thin films ITO CdO buffer layer electron beam optoelectronic properties
2010/10/13
A thin buffer layer of cadmium oxide (CdO) was used to enhance the optical and electrical
properties of indium tin oxide (ITO) films prepared by an electron-beam evaporation
technique. The effects o...
ITO材料在减反射膜设计中的应用
2007/8/20
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况，将其作为减反射膜系中的一层，能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想，可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系，实验证明，膜层在可见光部分的透过率显著提高，剩余反射率明显下降，并得到了平均透过率为95.83%，最高透过率...
高密度氧化铟锡(ITO)靶材的制备研究
高密度 ITO 靶材 制备
2012/11/12
以水热合成的2种不同粒径(70±8)nm和(40±6)nm单分散ITO粉末为原料,对原料粉体粒径分布、冷等静压成型压力、烧结温度和时间等与靶材烧结密度之间的关系进行了研究.当2种粒径原料按7:3质量比混合均匀,成型压力为250MPa,成型坯体经1300℃预烧1.5h和在1400℃烧结1h后可以得到相对密度大于99%的高密度、高纯度ITO靶材.