搜索结果: 1-15 共查到“物理学 SOI”相关记录18条 . 查询时间(0.314 秒)
上海微系统所在300 mm SOI晶圆制造技术方面实现突破（图）
晶圆制造 薄膜沉积
2023/12/3
2023年10月20日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重...
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
SOI多环级联光学谐振腔滤波器
光波导 多环级联 滤波器 滚降垂直度
2013/10/15
利用MEMS工艺制备了基于SOI的小尺寸、高集成光波导多环级联谐振腔滤波器,理论分析了多环级联微环腔的光场传输特性与光谱响应特性,实验验证并得到了不同级联环数与谐振谱线滚降垂直度的关系。研究表明:当波导宽度为450 nm、半径为5 μm时,单环、双环和十环滤波器响应谱线的-3 dB带宽分别为0.313, 0.279, 0.239 nm,相应结果与理论吻合,即随着级联环数的增多,谐振谱线顶端趋于平坦...
提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器，该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作“H”型谐振梁，并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析，利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构，并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术，实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式，测定压力传感器的特性。实验结果表...
本文主要针对目前SOI（Silicon-on-insulator）纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题，系统地进行了理论仿真分析，设计出最佳的纳米波导结构，并采用ＭＥＭＳ工艺对其进行加工制备与优化处理。后利用了SEM（扫描电子显微镜）、AFM（原子力显微镜）、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下，不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗，结果表明：...
Studies of Vertex Tracking with SOI Pixel Sensors for Future Lepton Colliders
Monolithic pixel sensor SOI technology Vertex reconstruction High Energy Physics - Experiment
2012/4/24
This paper presents a study of vertex tracking with a beam hodoscope consisting of three layers of monolithic pixel sensors in SOI technology on high-resistivity substrate. We study the track extrapol...
采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46 μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩...
中国科学院近代物理研究所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展（图）
中国科学院近代物理研究所 离子联合 单晶硅 SOI材料
2011/10/19
中国科学院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理获得进展。
中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。
实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温度为1073K，退火时间为30分钟；另外一块不做退火处理。实验清楚地表明：退火前样品内部存在高密度的氦泡。其截面透射电镜...
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理，数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1 MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 总剂量辐照效应及可靠性
总剂量辐照效应 退火效应 可靠性
2011/8/17
对国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素；背栅对总剂量辐照更为敏感，但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下，依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能；界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流；总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardenedfully-depleted SIMOX SOI wafers
SOI pseudo-MOS transistor total dose radiation ion implantation
2009/9/17
The total dose radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened and unhardened FD (fully-depleted) SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) SOI (Silicon-on-insulator) wafers is presen...
本实验给出了用加固的和未加固的全耗尽SIMOX SOI材料制备的pseudo-MOS晶体管的总剂量辐射实验结果。在高达1M 拉德（硅）的辐射剂量下，加固技术使晶体管的阈值电压漂移从-115.5V减小到-1.9V。计算了埋氧层俘获的净正电荷的质心位置、埋氧层的空穴陷阱浓度及其空穴俘获分数，结果表明采用该技术加固的全耗尽SIMOX SOI材料具有优秀的抗总剂量辐射能力。
Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET
SOI irradiation total dose effect NMOSFET
2009/8/14
A solution is developed to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET (N-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). This solution, including SOI (Silicon On Insulator) wafer har...
Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts
SIMOX SOI total dose radiation effect MOS transistors
2009/8/13
Partially-depleted Silicon-On-Insulator Negative Channel Metal Oxide Semiconductor (SOI NMOS) transistors with different layouts are fabricated on radiation hard Separation by IMplanted OXygen (SIMOX)...