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搜索结果: 1-15 共查到理学 ion implantation相关记录15条 . 查询时间(0.115 秒)
It is our great pleasure to announce that the 14th International Conference on Plasma Based Ion Implantation & Deposition, PBII&D 2017 will be held at the banqueting hall on the third floor of New Wo...
A polystyrene film spun onto polished silicon substrates was implanted with either nitrogen or argon ions using plasma immersion ion implantation (PIII) and subsequently investigated by X-ray and neut...
期刊信息 篇名 Nitrogen plasma source ion implantation (PSII) for improvement of blood-compatibility of silicon 语种 英文 撰写或编译 作者 P.Yang,G.J.Wan,X.Xie,Y.X.Leng,H.F.Zhou,P.K.Chu and N.Huang* 第一作者单位 刊物名称 Key Engi...
期刊信息 篇名 Alumian, aluminium nitride and aluminium compostite coating on 0.45%C steel by using a plasma source ion implantation and depostition system 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 刘斌,杨思泽 第一作者单位 中国科学院物理研究所 刊物名称 Thi...
期刊信息 篇名 Influence of grid and target radius and ion-neutral collisions on grid-enhanced plasma source ion implantation 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 王久丽,张谷令,刘赤子,杨思泽等 第一作者单位 中国科学院物理研究所 刊物名称 J. Phys. D: Appl. Phys ...
期刊信息 篇名 A new method for inner surface modification by plasma source ion implantation (PSII) 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 刘斌,张谷令,刘赤子,杨思泽等 第一作者单位 中国科学院物理研究所 刊物名称 NIM B: Beam Interactions with Materials and Atoms ...
期刊信息 篇名 Pulsed ion sheath dynamics in acylindrical bore for inner surface grid-enhanced plasma source ion implantation. 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 王久丽,张谷令,刘赤子,杨思泽等 第一作者单位 中国科学院物理研究所 刊物名称 Chin. Phys. Lett 页面 20...
期刊信息 篇名 Inner surface coating of TiN by grid-enhanced plasma source ion implantation (GEPSII) technique 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 刘斌,张谷令,刘赤子,杨思泽等 第一作者单位 中国科学院物理研究所 刊物名称 J. Vac. Sci. Tech 页面 2001.19.2958 出版日期 ...
期刊信息 篇名 Influence of ion species ratio on grid-enhanced plasma source ion implantation 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 王久丽,张谷令,刘赤子,杨思泽等 第一作者单位 中国科学院物理研究所 刊物名称 Chin. Phys 页面 2004.13(01).65 出版日期 2004年 月 日 文章标识(ISSN) ...
Strontium Bismuth Tantalate (SBT) ferroelectric thin films have attracted considerable attention for the development of non-volatile ferroelectric random access memories (NV-FRAMs). These films, howev...
Ti-6Al-4V samples have been treated by PIII processing at different temperatures (400-800 ° C), treatment time (30-150 min) and plasma potential (100 and 420 V). Hardness measurements results showed a...
The biggest advantage of plasma immersion ion implantation (PIII) is the capability of treating objects with irregular geometry without complex manipulation of the target holder. The effectiveness of ...
Nitrogen Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) has been used to modify the surface chemical structure of Ultra High Molecular Weight Polyethylene (UHMWPE). Grinding and polishing processes based on...
To improve the performance of critical part components, new methods for surface strengthening are being developed with success, like plasma immersion ion implantation (PIII) and hybrid surface treatme...
The treatment of surfaces by plasma immersion ion implantation requires pulsed power modulators to provide negative high voltage pulses. To achieve this requirement, we have developed three basic circ...

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