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压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响
氮化硅薄膜 压强 钝化 结构特性
2012/4/5
氢化氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜．利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的p型硅衬底(1.0 Ωcm)表面制作氢化氮化硅,得到了具有较好钝化效果且折射率为2.017～2.082的薄膜．随着压强的增加，薄膜的折射率略有增加．利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化．结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度...
在室温条件下，以溴乙烷为单体、氢气为载气，用13.56 MHz射频等离子体化学气相淀积方法(RF-PECVD)在硅片衬底上生长了掺溴非晶碳氢薄膜(a-C∶Br∶H)。通过对其进行Raman光谱分析，研究了工作气压对薄膜结构的影响。结果显示：随着气体工作压力从20 Pa下降至5 Pa, 样品D峰强度增强，ID/IG值逐步由1.18增加至1.36，G峰的位置向高频轻微移动;与此同时，薄膜生长方式逐步转...
PECVD项目通过验收
2008/1/16
沈阳科仪中心公司承担的沈阳市科技计划项目——“IC装备等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）产业化”项目，经过1年的努力，全面完成了合同规定的任务，提前半年申请验收。7月19日，沈阳市科技局在沈阳科仪中心公司组织召开了项目验收评审会。评审会专家组认真听取了验收汇报，并进行了现场考察和质询，一致同意通过项目验收。专家组对公司PECVD产品给予了较高的评价：该项目完成了6英寸PECVD设备的研发任...
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜, KBr衬底在175-275 ℃范围内变化, 用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况, 结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律. 光谱式椭圆偏振仪中用Forouhi Bloomer (FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n), 消光系数(k), 膜厚及...
Application of PMA Towards Moderating the Charge Storage Capability of MIS Memory Cell Based on PECVD Deposited Silicon Nitride Thin Films
PECVD Nitride films C-V G-V I-V P M A hysteresis and memory window
2010/4/9
A memory capacitor formed from Al/Si3N4/Si was prepared by means of trapping and de trapping mechanism of the dielectric films. Charge trapping and interface state characteristics of silicon nitride (...
Adherent Diamond-Like Carbon Coatings on Metals Via PECVD and IBAD
Diamond-like carbon Plasma enhanced chemical vapor deposition Ion beam-assisted deposition
2010/9/29
Adherent and low-stress a-C:H films were deposited on Ti6Al4V and stainless steel substrates using PECVD and IBAD techniques. An amorphous silicon interlayer was applied to improve the adhesion of the...